08-11-2019, 08:35 PM
این وسیله نمونه ای از حافظه های بادوام می باشد که از ادقام حافظه های قدیمی EPROM که توانایی پاک شدن و (E2PROM) حافظه هایی که توانایی دو بار پاک شدن را دارند ، حاصل می شود.
در واقع نحوه برنامه نویسی مورد نیاز در EPROM استاندارد و نحوه توانایی پاک شدن در E2PROM را مناسب استفاده قرار می دهد.
یکی از پراهمیت ترین مزایای حافظه فلش نسبت به EPROM، در توانایی الکترونیکی پاک شدن آن است. گرچه امکان پاک کردن جداگانه حافظه از هر خانه وجود ندارد ، تا هنگامی که تعداد فراوانی از مدارها به تراشه اضافه شود که این مسئله سبب بالا رفتن قیمت این فلش ها می شود . به همین علت بیشتر تولید کنندگان به سود سیستمی که از طریق آن ، همگی یا قسمتی از تراشه بلوک و یا flash erased می شود ، از این عملکرد صرفه نظر کرده اند.
درحال حاضر تراشه های فلش از توانایی پاک شدن به شیوه ی انتخابی برخوردارند به گونه ای که می توان بخش ها یا سکتورهایی را از فلش مموری گزینش و پاک کرد. در صورتی که توانایی پاک شدن ، باز هم به این معناست که تنها قسمت مهمی از تراشه باید پاک شود.
حافظه فلش یا فلش مموری به حافظه گفته می شود غیر فرار که قابلیت برنامه ریزی برای هر سلول را دارا می باشد . تعداد زیاد این سلول ها را با نام بلوک ، صفحه (page) یا سکتور می خوانند که قابلیت پاک شدن در آن واحد را دارند. فلش مموری یکی از انواع برگزیده تراشه های EEPROM می باشد . این حافظه حاوی شبکه ای مشتمل بر ستون و سطرمی باشد. این حافظه‌ها دچار نویز نمی شوند. سرعت دست یافتن به حافظه های فلش بالا بوده و اندازه‌شان کوچک است.
فلش مموری ها برای ذخیره دیتاها به باتری نیاز ندارند بنابراین باعث پایین آوردن وزن ، حجم و استفاده از برق وسایل می شوند . دیتاهای داخلشان متغیر هستند و ذخیره سازهای با گنجایش بالا را می توان توسط این مدل حافظه تهیه کرد. نسبت به فلاپی دیسک و هارد دیسک با سرعت بالاتری به دیتاها دسترسی دارد و از جهت دیگر مقاومت بیشتری در برابر شوک از خود بروز می دهد.
[img=250x0]http://tallash.ir/wp-content/uploads/2016/03/22643_1968311560_tn_v220w-HP-FLASH.jpg[/img]
در واقع نحوه برنامه نویسی مورد نیاز در EPROM استاندارد و نحوه توانایی پاک شدن در E2PROM را مناسب استفاده قرار می دهد.
یکی از پراهمیت ترین مزایای حافظه فلش نسبت به EPROM، در توانایی الکترونیکی پاک شدن آن است. گرچه امکان پاک کردن جداگانه حافظه از هر خانه وجود ندارد ، تا هنگامی که تعداد فراوانی از مدارها به تراشه اضافه شود که این مسئله سبب بالا رفتن قیمت این فلش ها می شود . به همین علت بیشتر تولید کنندگان به سود سیستمی که از طریق آن ، همگی یا قسمتی از تراشه بلوک و یا flash erased می شود ، از این عملکرد صرفه نظر کرده اند.
درحال حاضر تراشه های فلش از توانایی پاک شدن به شیوه ی انتخابی برخوردارند به گونه ای که می توان بخش ها یا سکتورهایی را از فلش مموری گزینش و پاک کرد. در صورتی که توانایی پاک شدن ، باز هم به این معناست که تنها قسمت مهمی از تراشه باید پاک شود.
حافظه فلش یا فلش مموری به حافظه گفته می شود غیر فرار که قابلیت برنامه ریزی برای هر سلول را دارا می باشد . تعداد زیاد این سلول ها را با نام بلوک ، صفحه (page) یا سکتور می خوانند که قابلیت پاک شدن در آن واحد را دارند. فلش مموری یکی از انواع برگزیده تراشه های EEPROM می باشد . این حافظه حاوی شبکه ای مشتمل بر ستون و سطرمی باشد. این حافظه‌ها دچار نویز نمی شوند. سرعت دست یافتن به حافظه های فلش بالا بوده و اندازه‌شان کوچک است.
فلش مموری ها برای ذخیره دیتاها به باتری نیاز ندارند بنابراین باعث پایین آوردن وزن ، حجم و استفاده از برق وسایل می شوند . دیتاهای داخلشان متغیر هستند و ذخیره سازهای با گنجایش بالا را می توان توسط این مدل حافظه تهیه کرد. نسبت به فلاپی دیسک و هارد دیسک با سرعت بالاتری به دیتاها دسترسی دارد و از جهت دیگر مقاومت بیشتری در برابر شوک از خود بروز می دهد.
[img=250x0]http://tallash.ir/wp-content/uploads/2016/03/22643_1968311560_tn_v220w-HP-FLASH.jpg[/img]