سوال استاد

[پریسا دولتی]

حافظه هاي فلش از تراشه هاي EEPROM ساخته شده اند . در اين گونه از حافظه ها ذخيره و حذف اطلاعات توسط جريان هاي الکتريکي صورت مي پذيرد . اين گونه تراشه ها داخل سطر ها و ستون هاي مختلف شبکه اي منظم را پديد مي آورند . در اين شبکه هر بخش کوچک داراي شماره سطر و ستون مختص به خود بوده و در اصطلاح هر کدام از اين بخش ها يک سلول حافظه ناميده مي شود . هر کدام از اين سلول ها ازتعدادي ترانزيستور ساخته شده و هر کدام از اين سلول ها توسط لايه هاي اکسيد از ديگر سلول ها جدا مي باشد . درداخل اين سلول ها دو ترانزيستور معروف با نام هاي Floating gate و Control gate استفاده مي شود . Floating gate به خط ارتباطي سطر ها متصل بوده و تا زماني که ارتباط بين اين دو ترانزيستور برقرار باشد ، اين سلول داراي ارزش ١ مي باشد . اين سلول ها مي توانند داراي ارزش ١ و يا ٠ باشند