18-08-2018, 06:30 PM
1))
ولتاژ رنگ سیم
+5V قرمز
-5V سفید
+12V زرد
-12V آبی
3.3V نارنجی
GND مشکی
PG نارنجی
2)) حافظه هاي الکترونيکي در انواع گوناگون و براي مصارف مختلف ساخته شده اند . حافظه هاي فلش به دليل سرعت بالاي آنها در ثبت اطلاعات و همچنين استفاده فوق العاده آسان بسيار پر فروش و پر طرف دار مي باشند . از اين رو در دوربين هاي ديجيتالي ، تلفن همراه و ساير دستگاه ها شاهد استفاده روز افزون از آنها هستيم .
شيوه ذخيره اطلاعات در اين نوع از حافظه بسيار شبيه به ذخيره اطلاعات در RAM مي باشد . در حقيقت حافظه هاي فلش در نحوه فعاليت مشابه يک منبع ذخيره اطلاعات ثابت عمل مي کند . به اين معني که در آنها هيچ قطعه متحرکي به کار نرفته و تمام کارها توسط مدارات الکترونيکي انجام مي شود . در مقابل درون ديسک هاي سخت چندين قسمت متحرک وجود دارد که اين وضع خود آسيب پذير بودن اين گونه حافظه را نسبت به حافظه هاي فلش نشان مي دهد .
قطعاتي از قبيل تراشه هاي BIOS ، حافظه هاي فلش متراکم شده که در دوربين هاي ديجيتالي به کار مي روند ، حافظه هاي هوشمند ، Memory Stick و کارت هاي حافظه که در کنسول هاي بازي به کار مي روند همه و همه از اين نوع حافظه استفاده مي کنند .
حافظه هاي فلش از تراشه هاي EEPROM ساخته شده اند . همان طور که در مقالات قبلي ذکر شد در اين گونه از حافظه ها ذخيره و حذف اطلاعات توسط جريان هاي الکتريکي صورت مي پذيرد . اين گونه تراشه ها داخل سطر ها و ستون هاي مختلف شبکه اي منظم را پديد مي آورند . در اين شبکه هر بخش کوچک داراي شماره سطر و ستون مختص به خود بوده و در اصطلاح هر کدام از اين بخش ها يک سلول حافظه ناميده مي شود . هر کدام از اين سلول ها ازتعدادي ترانزيستور ساخته شده و هر کدام از اين سلول ها توسط لايه هاي اکسيد از ديگر سلول ها جدا مي باشد . درداخل اين سلول ها دو ترانزيستور معروف با نام هاي Floating gate و Control gate استفاده مي شود . Floating gate به خط ارتباطي سطر ها متصل بوده و تا زماني که ارتباط بين اين دو ترانزيستور برقرار باشد ، اين سلول داراي ارزش ١ مي باشد . اين سلول ها مي توانند داراي ارزش ١ و يا ٠ باشند .
Tunneling :
اين روش براي تغيير دادن مکان الکترون هاي ايجاد شده در Floating gate بکار مي رود . اغلب سيگنال هاي شارژ الکترونيکي بين ١٠ تا ١٣ ولت مي باشند که اين ميزان توسط Floating gate استفاده مي شود . در زمان Tunneling اين ميزان توسط ستون ها از Floating gate گذشته و به زمين منتقل مي شود . اين سيگنال باعث مي شود که اين ترانزيستور مشابه يک تفنگ الکتروني وارد عمل شود . اين تفنگ الکتروني ، الکترون ها به خارج لايه اکسيد شده رانده و بدين ترتيب باعث از بين رفتن آنها مي شود .
در اينجا واحد مخصوصي به نام حسگر سلول وارد عمل شده و عمل Tunneling همراه با مقدارش را ثبت مي کند . اگر مقدار اين سيگنال که از ميان دو ترانزيستور مي گذرد کمتر از نصف آستانه حساسيت جسگر باشد ، براي آن سلول در ارزش گذاري رقم ٠ ثبت مي شود . ذکر اين نکته ضروري است که اين سلول ها در حالت عادي داراي ارزش ١ هستند .
با اين توضيحات ممکن است فکر کنيد که درون راديو خودروي شما يک حافظه فلش قراردارد . درست حدس زديد ، اطلاعات ايستگاه هاي راديوئي مورد علاقه شما در نوعي حافظه به اسم Flash ROM ذخيره مي شود . البته نحوه ثبت و نگهداري اطلاعات در اين نوع حافظه به کلي با Flash memory فرق مي کند . اين نوع حافظه براي نگهداري اطلاعات به يک منبع الکتريسيته خارجي احتياج دارد . در صورتي که حافظه هاي فلش بدون نياز به منبع خارجي اطلاعات را ثبت و ضبط مي کنند .
زماني که شما اتومبيل خود را خاموش مي کنيد جريان بسيار کمي به سمت اين حافظه در جريان است و همين جريان بسيار کم براي حفظ اطلاعات شما کافي مي باشد . ولي با تمام شدن باتري خودرو و يا جدا کردن سيم برق کليه اطلاعات ثبت شده از بين مي رود .
امروزه اين فن آوري ، آنقدر سريع توسعه مي يابد که تا چند سال ديگر قادر به ذخيره اطلاعات معادل ٤٠ گيگا بايت در فضائي به اندازه يک سانتي متر مربع هستيم . هم اکنون نيز اين حافظه ها در ابعاد بسيار کوچک در ظرفيت هاي گوناگون در دسترس همه قرار دارد .
فلش NOR
هر سلول در فلش NOR یک بخش پایانی دارد که مستقیماً به زمین متصل است و بخش پایانی دیگری که مستقیماً به یک خط بیت متصل است. این ترتیب به این دلیل NOR نامید شده‌است که مثل یک گیت NOR عمل می‌کند. وقتی یکی از خطوط کلمه‌ها High شود ترانزیستور ذخیره‌کننده مربوطه عمل می‌کند تا خط بیت خروجی را Low کند.
فلش NAND
فلش NAND نیز از ترانزیستورهایی با گیت شناور استفاده می‌کند اما آنها به صورتی به هم متصل اند که گیت NAND را شبیه‌سازی می‌کنند. تعداد زیادی از ترانزیستورها به صورت سری متصل اند و خط بیت تنها در صورتی Low می‌شود که تمامی خطوط کلمه‌ها High شده باشند. سپس این گروه‌ها به وسیلهٔ تعداد اضافی ترانزیستور به یک آرایه با استایل NOR متصل شده‌اند مشابه حالتی که ترانزیستورهای تنها در یک فلش NOR به هم ارتباط پیدا کرده‌اند.
فلش نند عمودی (Vertical NAND)
در حافظه نند عمودی (Vertical NAND)، سلول‌های حافظه بطور عمودی روی هم قرار می‌گیرند. با این کار بدون احتیاج به سلول‌هایی کوچکتر می‌توان تراکم سطحی بالاتری برای سلول‌ها ایجاد کرد.
در ساختاری که در نند عمودی استفاده شده‌است، بار الکتریکی روی یک فیلم سیلیکون نیترید ذخیره می‌شود. فیلم‌های سیلیکون نیترید قابلیت این را دارند که ضخیم‌تر شوند و بار بیشتری بر روی خود جا دهند و علاوه بر آن مقاومت بالایی دارند. بارهای الکتریکی نمی‌توانند به‌طور عمودی در واسطه سیلیکون نیترید حرکت کنند، در نتیجه سلول‌های حافظه در لایه‌های عمودی متفاوت، با هم هیچ تداخلی ندارند. هر مجموعه عمودی، از نظر الکتریکی مشابه گروه‌های متصل به همی که در ساختار نند معمولی استفاده می‌شوند، می‌باشد.
ز سال ۲۰۱۳ عملیات نوشتن و خواندن توسط حافظه نند عمودی، با سرعتی معادل دو برابر سرعت حافظه نند معمولی اتفاق می‌افتد. از طرفی حافظه نند عمودی با مصرف تنها ۵۰ درصد انرژی مصرفی حافظه نند معمولی تا ۱۰ برابر آن عمر می‌کند.
ولتاژ رنگ سیم
+5V قرمز
-5V سفید
+12V زرد
-12V آبی
3.3V نارنجی
GND مشکی
PG نارنجی
2)) حافظه هاي الکترونيکي در انواع گوناگون و براي مصارف مختلف ساخته شده اند . حافظه هاي فلش به دليل سرعت بالاي آنها در ثبت اطلاعات و همچنين استفاده فوق العاده آسان بسيار پر فروش و پر طرف دار مي باشند . از اين رو در دوربين هاي ديجيتالي ، تلفن همراه و ساير دستگاه ها شاهد استفاده روز افزون از آنها هستيم .
شيوه ذخيره اطلاعات در اين نوع از حافظه بسيار شبيه به ذخيره اطلاعات در RAM مي باشد . در حقيقت حافظه هاي فلش در نحوه فعاليت مشابه يک منبع ذخيره اطلاعات ثابت عمل مي کند . به اين معني که در آنها هيچ قطعه متحرکي به کار نرفته و تمام کارها توسط مدارات الکترونيکي انجام مي شود . در مقابل درون ديسک هاي سخت چندين قسمت متحرک وجود دارد که اين وضع خود آسيب پذير بودن اين گونه حافظه را نسبت به حافظه هاي فلش نشان مي دهد .
قطعاتي از قبيل تراشه هاي BIOS ، حافظه هاي فلش متراکم شده که در دوربين هاي ديجيتالي به کار مي روند ، حافظه هاي هوشمند ، Memory Stick و کارت هاي حافظه که در کنسول هاي بازي به کار مي روند همه و همه از اين نوع حافظه استفاده مي کنند .
حافظه هاي فلش از تراشه هاي EEPROM ساخته شده اند . همان طور که در مقالات قبلي ذکر شد در اين گونه از حافظه ها ذخيره و حذف اطلاعات توسط جريان هاي الکتريکي صورت مي پذيرد . اين گونه تراشه ها داخل سطر ها و ستون هاي مختلف شبکه اي منظم را پديد مي آورند . در اين شبکه هر بخش کوچک داراي شماره سطر و ستون مختص به خود بوده و در اصطلاح هر کدام از اين بخش ها يک سلول حافظه ناميده مي شود . هر کدام از اين سلول ها ازتعدادي ترانزيستور ساخته شده و هر کدام از اين سلول ها توسط لايه هاي اکسيد از ديگر سلول ها جدا مي باشد . درداخل اين سلول ها دو ترانزيستور معروف با نام هاي Floating gate و Control gate استفاده مي شود . Floating gate به خط ارتباطي سطر ها متصل بوده و تا زماني که ارتباط بين اين دو ترانزيستور برقرار باشد ، اين سلول داراي ارزش ١ مي باشد . اين سلول ها مي توانند داراي ارزش ١ و يا ٠ باشند .
Tunneling :
اين روش براي تغيير دادن مکان الکترون هاي ايجاد شده در Floating gate بکار مي رود . اغلب سيگنال هاي شارژ الکترونيکي بين ١٠ تا ١٣ ولت مي باشند که اين ميزان توسط Floating gate استفاده مي شود . در زمان Tunneling اين ميزان توسط ستون ها از Floating gate گذشته و به زمين منتقل مي شود . اين سيگنال باعث مي شود که اين ترانزيستور مشابه يک تفنگ الکتروني وارد عمل شود . اين تفنگ الکتروني ، الکترون ها به خارج لايه اکسيد شده رانده و بدين ترتيب باعث از بين رفتن آنها مي شود .
در اينجا واحد مخصوصي به نام حسگر سلول وارد عمل شده و عمل Tunneling همراه با مقدارش را ثبت مي کند . اگر مقدار اين سيگنال که از ميان دو ترانزيستور مي گذرد کمتر از نصف آستانه حساسيت جسگر باشد ، براي آن سلول در ارزش گذاري رقم ٠ ثبت مي شود . ذکر اين نکته ضروري است که اين سلول ها در حالت عادي داراي ارزش ١ هستند .
با اين توضيحات ممکن است فکر کنيد که درون راديو خودروي شما يک حافظه فلش قراردارد . درست حدس زديد ، اطلاعات ايستگاه هاي راديوئي مورد علاقه شما در نوعي حافظه به اسم Flash ROM ذخيره مي شود . البته نحوه ثبت و نگهداري اطلاعات در اين نوع حافظه به کلي با Flash memory فرق مي کند . اين نوع حافظه براي نگهداري اطلاعات به يک منبع الکتريسيته خارجي احتياج دارد . در صورتي که حافظه هاي فلش بدون نياز به منبع خارجي اطلاعات را ثبت و ضبط مي کنند .
زماني که شما اتومبيل خود را خاموش مي کنيد جريان بسيار کمي به سمت اين حافظه در جريان است و همين جريان بسيار کم براي حفظ اطلاعات شما کافي مي باشد . ولي با تمام شدن باتري خودرو و يا جدا کردن سيم برق کليه اطلاعات ثبت شده از بين مي رود .
امروزه اين فن آوري ، آنقدر سريع توسعه مي يابد که تا چند سال ديگر قادر به ذخيره اطلاعات معادل ٤٠ گيگا بايت در فضائي به اندازه يک سانتي متر مربع هستيم . هم اکنون نيز اين حافظه ها در ابعاد بسيار کوچک در ظرفيت هاي گوناگون در دسترس همه قرار دارد .
فلش NOR
هر سلول در فلش NOR یک بخش پایانی دارد که مستقیماً به زمین متصل است و بخش پایانی دیگری که مستقیماً به یک خط بیت متصل است. این ترتیب به این دلیل NOR نامید شده‌است که مثل یک گیت NOR عمل می‌کند. وقتی یکی از خطوط کلمه‌ها High شود ترانزیستور ذخیره‌کننده مربوطه عمل می‌کند تا خط بیت خروجی را Low کند.
فلش NAND
فلش NAND نیز از ترانزیستورهایی با گیت شناور استفاده می‌کند اما آنها به صورتی به هم متصل اند که گیت NAND را شبیه‌سازی می‌کنند. تعداد زیادی از ترانزیستورها به صورت سری متصل اند و خط بیت تنها در صورتی Low می‌شود که تمامی خطوط کلمه‌ها High شده باشند. سپس این گروه‌ها به وسیلهٔ تعداد اضافی ترانزیستور به یک آرایه با استایل NOR متصل شده‌اند مشابه حالتی که ترانزیستورهای تنها در یک فلش NOR به هم ارتباط پیدا کرده‌اند.
فلش نند عمودی (Vertical NAND)
در حافظه نند عمودی (Vertical NAND)، سلول‌های حافظه بطور عمودی روی هم قرار می‌گیرند. با این کار بدون احتیاج به سلول‌هایی کوچکتر می‌توان تراکم سطحی بالاتری برای سلول‌ها ایجاد کرد.
در ساختاری که در نند عمودی استفاده شده‌است، بار الکتریکی روی یک فیلم سیلیکون نیترید ذخیره می‌شود. فیلم‌های سیلیکون نیترید قابلیت این را دارند که ضخیم‌تر شوند و بار بیشتری بر روی خود جا دهند و علاوه بر آن مقاومت بالایی دارند. بارهای الکتریکی نمی‌توانند به‌طور عمودی در واسطه سیلیکون نیترید حرکت کنند، در نتیجه سلول‌های حافظه در لایه‌های عمودی متفاوت، با هم هیچ تداخلی ندارند. هر مجموعه عمودی، از نظر الکتریکی مشابه گروه‌های متصل به همی که در ساختار نند معمولی استفاده می‌شوند، می‌باشد.
ز سال ۲۰۱۳ عملیات نوشتن و خواندن توسط حافظه نند عمودی، با سرعتی معادل دو برابر سرعت حافظه نند معمولی اتفاق می‌افتد. از طرفی حافظه نند عمودی با مصرف تنها ۵۰ درصد انرژی مصرفی حافظه نند معمولی تا ۱۰ برابر آن عمر می‌کند.