23-05-2017, 09:15 PM
فناوری ساخت فلش
SLC در مقابل MLC
حافظههاي فلش در دو نوع مختلف:
(SLC ( Single Level Cell و (MLC ( Multi Level Cell ) توليد ميشوند.
هرکدام از اين تکنولوژيها داراي معايب و محاسني است و از نظر ساختار ، تفاوتهايي با هم دارند.
در حافظههايي که بر پايه تکنولوژي MLC طراحي ميشوند، در هر سلول حافظه 2 بيت ذخيره ميشود اما در چيپهاي نوع SLC اطلاعات در هر سلول حافظه ، 1 بيت ذخيره ميشود ، بنابراين در صورت يک اندازه بودن حجم حافظه ( مثلا فلش 1 گيگابايتي ) ، اندازه چيپ SLC بزرگتر از چيپ MLC ميباشد به همين دليل قيمت حافظههايي که از تکنولوژي MLC بهره ميبرند ارزانتر است.
در حافظههاي نوع MLC به دليل اينکه در هر سلول حافظه 2 بيت ذخيره ميشود ، الگوريتم خواندن و همچنين تصحيح خطا بسيار پيچيدهتر و دشوارتر است به همين علت نيز سرعت خواندن و نوشتن در اين نوع حافظهها به نسبت چيپهاي SLC کندتر است.
در حافظهها MLC اين کار را به وسيله جمعآوري سطوح مختلف بارهاي الکتريکي در کنار floating gate انجام ميشود ؛ بطور مثال يک سلول دو بيتي ميتواند بين 4 ولتاژ متفاوت تمايز قائل شود .
ساختار NAND و NOR
طراحان چيپ حافظه ، براي ساخت حافظه فلش از دو روش NAND و NOR استفاده ميکنند.بطور کلي هيچ يک از اين دو بر ديگري برتري ندارد ولي هر کدام از آنها در جايگاه خاصي کاربرد بيشتري دارند.
سلولهاي NOR ،بصورت موازي با يکديگر ارتباط دارند بنابراين هر سلول ميتواند بصورت مجزا خوانده و برنامهريزي شود,درحاليکه سلولهاي NAND بصورت سري مرتبطند و بايد به همان صورت خوانده و برنامهريزي گردند .
دادهها در حالت NOR به همان روشي در RAM سيستم استفاده ميگردد،خوانده ميشود ، به همين دليل اغلب ريزپردازندهها ميتوانند با حافظههاي NOR Flash کار کنند. به عبارت ديگر حافظه NOR flash ميتواند برنامههاي نرمافزاري را بدون ريختن دستور العمل در RAM ذخيره و اجرا نمايد . اين حافظه همچنين ميتواند در يک بخش اجرا شود در حاليکه دادهها بطور همزمان از قسمت ديگر خوانده , ريخته و يا پاک گردند.به همين دلايل NOR Flash اغلب در تجهيزات پرتابل مانند همراه مانند گوشيهاي موبايل به کار برده ميشود.
SLC در مقابل MLC
حافظههاي فلش در دو نوع مختلف:
(SLC ( Single Level Cell و (MLC ( Multi Level Cell ) توليد ميشوند.
هرکدام از اين تکنولوژيها داراي معايب و محاسني است و از نظر ساختار ، تفاوتهايي با هم دارند.
در حافظههايي که بر پايه تکنولوژي MLC طراحي ميشوند، در هر سلول حافظه 2 بيت ذخيره ميشود اما در چيپهاي نوع SLC اطلاعات در هر سلول حافظه ، 1 بيت ذخيره ميشود ، بنابراين در صورت يک اندازه بودن حجم حافظه ( مثلا فلش 1 گيگابايتي ) ، اندازه چيپ SLC بزرگتر از چيپ MLC ميباشد به همين دليل قيمت حافظههايي که از تکنولوژي MLC بهره ميبرند ارزانتر است.
در حافظههاي نوع MLC به دليل اينکه در هر سلول حافظه 2 بيت ذخيره ميشود ، الگوريتم خواندن و همچنين تصحيح خطا بسيار پيچيدهتر و دشوارتر است به همين علت نيز سرعت خواندن و نوشتن در اين نوع حافظهها به نسبت چيپهاي SLC کندتر است.
در حافظهها MLC اين کار را به وسيله جمعآوري سطوح مختلف بارهاي الکتريکي در کنار floating gate انجام ميشود ؛ بطور مثال يک سلول دو بيتي ميتواند بين 4 ولتاژ متفاوت تمايز قائل شود .
ساختار NAND و NOR
طراحان چيپ حافظه ، براي ساخت حافظه فلش از دو روش NAND و NOR استفاده ميکنند.بطور کلي هيچ يک از اين دو بر ديگري برتري ندارد ولي هر کدام از آنها در جايگاه خاصي کاربرد بيشتري دارند.
سلولهاي NOR ،بصورت موازي با يکديگر ارتباط دارند بنابراين هر سلول ميتواند بصورت مجزا خوانده و برنامهريزي شود,درحاليکه سلولهاي NAND بصورت سري مرتبطند و بايد به همان صورت خوانده و برنامهريزي گردند .
دادهها در حالت NOR به همان روشي در RAM سيستم استفاده ميگردد،خوانده ميشود ، به همين دليل اغلب ريزپردازندهها ميتوانند با حافظههاي NOR Flash کار کنند. به عبارت ديگر حافظه NOR flash ميتواند برنامههاي نرمافزاري را بدون ريختن دستور العمل در RAM ذخيره و اجرا نمايد . اين حافظه همچنين ميتواند در يک بخش اجرا شود در حاليکه دادهها بطور همزمان از قسمت ديگر خوانده , ريخته و يا پاک گردند.به همين دلايل NOR Flash اغلب در تجهيزات پرتابل مانند همراه مانند گوشيهاي موبايل به کار برده ميشود.