29-11-2019, 05:11 PM
(آخرین ویرایش: 29-11-2019, 05:19 PM، توسط mhmdrzazare.)
[font=Arial, sans-serif]رنگ های مختلف در سیم های خروجی از منبع تغذیه و ولتاژ معادل آنها[/font]
[font=Arial, sans-serif]رنگ
اندازه ولتاژ
زرد
+12 v
آبی
-12 v
قرمز
+5 v
سفید
-5 v
نارنجی و قهوه ای
3,3 v
مشکی و اتصال زمبن هست
GND:صفر ولت
خاکستری
5 ولت و 3,3 ولت pw-ok
سبز
PS-ON
ارغوانی
5 ولت SP[/font]
-HP-FLASH.jpg[/img]در نقطه اتصال هر سطر و یا ستون ، 2 ترانزیستور مورد استفاده قرار می گیرد. این دو ترانزیستور از طریق یک لایه نازک اکسید از همدیگر جدا شده اند. این دو ترانزیستور Floating gate و Control gate می باشد. Floatino gate تنها به قسمت سطر (WordLine) اتصال داده شده است . تا هنگامی که لینک فوق وجود داشته باشد در سلول مرتبط با آن مقدار یک سیو خواهد بود.به علت تغییر مقدار یک به صفر ، عملیاتی با نام Fowler-Nordheim tunneling مورد استفاده قرار می گیرد. از Tunneling جهت جابه جایی محل الکترون ها در Floating gate استفاد می شود. یک شارژ الکتریکی در حدود 10 تا 13 ولت به floating gate انتقال داده می شود. آغاز شارژ از ستون ( bitline) و بعد به floating gate خواهد رسید .در آخر شارژ خارج می شود ( زمین ) .این شارژ سبب میگردد که ترانزیستور floating gate شبیه یک توزیع کننده الکترون عمل نماید . الکترون های باقی مانده متراکم شده و در جهت دیگر لایه اکسید اسیر می شوند و باعث ایجاد یک شارژ منفی می شوند . الکترون های شارژ شده منفی ، همچون یک صفحه عایق بین control gate و floating gate عمل می نمایند.دستگاه ویژه ای با نام Cell sensor سطح شارژ انتقال داده شده به floating gate را مونیتور خواهد کرد. درحالتیکه جریان گیت بیش از 50 درصد شارژ باشد ، در این حالت مقدار یک را خواهد داشت .هنگامی که شارژ انتقال داده شده از 50 درصد ابتدایی
-HP-FLASH.jpg[/img]در نقطه اتصال هر سطر و یا ستون ، 2 ترانزیستور مورد استفاده قرار می گیرد. این دو ترانزیستور از طریق یک لایه نازک اکسید از همدیگر جدا شده اند. این دو ترانزیستور Floating gate و Control gate می باشد. Floatino gate تنها به قسمت سطر (WordLine) اتصال داده شده است . تا هنگامی که لینک فوق وجود داشته باشد در سلول مرتبط با آن مقدار یک سیو خواهد بود.به علت تغییر مقدار یک به صفر ، عملیاتی با نام Fowler-Nordheim tunneling مورد استفاده قرار می گیرد. از Tunneling جهت جابه جایی محل الکترون ها در Floating gate استفاد می شود. یک شارژ الکتریکی در حدود 10 تا 13 ولت به floating gate انتقال داده می شود. آغاز شارژ از ستون ( bitline) و بعد به floating gate خواهد رسید .در آخر شارژ خارج می شود ( زمین ) .این شارژ سبب میگردد که ترانزیستور floating gate شبیه یک توزیع کننده الکترون عمل نماید . الکترون های باقی مانده متراکم شده و در جهت دیگر لایه اکسید اسیر می شوند و باعث ایجاد یک شارژ منفی می شوند . الکترون های شارژ شده منفی ، همچون یک صفحه عایق بین control gate و floating gate عمل می نمایند.دستگاه ویژه ای با نام Cell sensor سطح شارژ انتقال داده شده به floating gate را مونیتور خواهد کرد. درحالتیکه جریان گیت بیش از 50 درصد شارژ باشد ، در این حالت مقدار یک را خواهد داشت .هنگامی که شارژ انتقال داده شده از 50 درصد ابتدایی
[font=Arial, sans-serif]رنگ
اندازه ولتاژ
زرد
+12 v
آبی
-12 v
قرمز
+5 v
سفید
-5 v
نارنجی و قهوه ای
3,3 v
مشکی و اتصال زمبن هست
GND:صفر ولت
خاکستری
5 ولت و 3,3 ولت pw-ok
سبز
PS-ON
ارغوانی
5 ولت SP[/font]
-HP-FLASH.jpg[/img]در نقطه اتصال هر سطر و یا ستون ، 2 ترانزیستور مورد استفاده قرار می گیرد. این دو ترانزیستور از طریق یک لایه نازک اکسید از همدیگر جدا شده اند. این دو ترانزیستور Floating gate و Control gate می باشد. Floatino gate تنها به قسمت سطر (WordLine) اتصال داده شده است . تا هنگامی که لینک فوق وجود داشته باشد در سلول مرتبط با آن مقدار یک سیو خواهد بود.به علت تغییر مقدار یک به صفر ، عملیاتی با نام Fowler-Nordheim tunneling مورد استفاده قرار می گیرد. از Tunneling جهت جابه جایی محل الکترون ها در Floating gate استفاد می شود. یک شارژ الکتریکی در حدود 10 تا 13 ولت به floating gate انتقال داده می شود. آغاز شارژ از ستون ( bitline) و بعد به floating gate خواهد رسید .در آخر شارژ خارج می شود ( زمین ) .این شارژ سبب میگردد که ترانزیستور floating gate شبیه یک توزیع کننده الکترون عمل نماید . الکترون های باقی مانده متراکم شده و در جهت دیگر لایه اکسید اسیر می شوند و باعث ایجاد یک شارژ منفی می شوند . الکترون های شارژ شده منفی ، همچون یک صفحه عایق بین control gate و floating gate عمل می نمایند.دستگاه ویژه ای با نام Cell sensor سطح شارژ انتقال داده شده به floating gate را مونیتور خواهد کرد. درحالتیکه جریان گیت بیش از 50 درصد شارژ باشد ، در این حالت مقدار یک را خواهد داشت .هنگامی که شارژ انتقال داده شده از 50 درصد ابتدایی
-HP-FLASH.jpg[/img]در نقطه اتصال هر سطر و یا ستون ، 2 ترانزیستور مورد استفاده قرار می گیرد. این دو ترانزیستور از طریق یک لایه نازک اکسید از همدیگر جدا شده اند. این دو ترانزیستور Floating gate و Control gate می باشد. Floatino gate تنها به قسمت سطر (WordLine) اتصال داده شده است . تا هنگامی که لینک فوق وجود داشته باشد در سلول مرتبط با آن مقدار یک سیو خواهد بود.به علت تغییر مقدار یک به صفر ، عملیاتی با نام Fowler-Nordheim tunneling مورد استفاده قرار می گیرد. از Tunneling جهت جابه جایی محل الکترون ها در Floating gate استفاد می شود. یک شارژ الکتریکی در حدود 10 تا 13 ولت به floating gate انتقال داده می شود. آغاز شارژ از ستون ( bitline) و بعد به floating gate خواهد رسید .در آخر شارژ خارج می شود ( زمین ) .این شارژ سبب میگردد که ترانزیستور floating gate شبیه یک توزیع کننده الکترون عمل نماید . الکترون های باقی مانده متراکم شده و در جهت دیگر لایه اکسید اسیر می شوند و باعث ایجاد یک شارژ منفی می شوند . الکترون های شارژ شده منفی ، همچون یک صفحه عایق بین control gate و floating gate عمل می نمایند.دستگاه ویژه ای با نام Cell sensor سطح شارژ انتقال داده شده به floating gate را مونیتور خواهد کرد. درحالتیکه جریان گیت بیش از 50 درصد شارژ باشد ، در این حالت مقدار یک را خواهد داشت .هنگامی که شارژ انتقال داده شده از 50 درصد ابتدایی
