09-05-2022, 09:56 PM
مراحل این فرآیند از این قرار هست:
1. یک لایه اکسید سیلیکون ( ذوب کردن شن. در این مرحله شن ها در دمای بسیار بالا حرارت داده میشن و سلیکا موجود در شن ها به صورت مایع در اومده و در ظرف هایی ریخته میشن. قطر این ظرف های توپی شکل ۱۲ اینچه (۳۰۰ میلی متر). پردازنده های قدیمی تر (سلرون ها) دارای ظرف هایی با قطر ۸″ اینچ (۲۰۰ میلی متر) بودن و اولین ظرف توپی دنیا که در سال ۱۹۷۰ از آن کریستال خارج کردند فقط ۲″ (۵۰ میلی متر) قطر داشت)روی سیلیکون اولیه پوشش داده می‌شه.
2. یک لایه ماده حساس به اشعه UV که اصطلاحا بهش Photo resist گفته می‌شه، روی مجموعه پوشش داده می‌شه.
3. از یک ماسک استفاده می‌شه که دارای یک سری حفره و شیار به شکل دلخواه هست و نور فقط از اون حفرات عبور می‌کنه و بقیه نور توسط ماسک جذب می‌شه.
4. با تابش یک پرتو متمرکز شده UV، نور از منافذ ماسک عبور می‌کنه و طرح دلخواه مارو روی ماده Photo resist می‌ندازه. باید توجه کنیم که با استفاده از لنزها می‌شه نور رو بسیار متمرکز کرد و در مورد پرتوهای الکترونی می‌تونیم به ضخامت پرتو چند نانومتر برسیم تا دقت نقشه بالا بره (لزوما از UV اتفاده نمی‌شه)
5. قسمت‌هایی از ماده Photo resist که به دلیل تابش نور ضعیف شدند، خیلی سریعتر از قسمت‌های دست نخورده‌اش خورده میشن. پس با اسید اون‌هارو مطابق همون طرحی که روی ماسک داشتیم تحت خوردگی موضعی قرار می‌دیم. اسید HF استفاده می‌شه.
6. اسید سر راهش قسمت‌هایی از اکسید سیلیکون که منطبق با نقشه تراشه بودند رو هم می‌خوره و پیشروی می‌کنه.
7. باقیمونده ماده Photo resist به کمک اسید مناسب دیگه‌ای حل می‌شه
1. یک لایه اکسید سیلیکون ( ذوب کردن شن. در این مرحله شن ها در دمای بسیار بالا حرارت داده میشن و سلیکا موجود در شن ها به صورت مایع در اومده و در ظرف هایی ریخته میشن. قطر این ظرف های توپی شکل ۱۲ اینچه (۳۰۰ میلی متر). پردازنده های قدیمی تر (سلرون ها) دارای ظرف هایی با قطر ۸″ اینچ (۲۰۰ میلی متر) بودن و اولین ظرف توپی دنیا که در سال ۱۹۷۰ از آن کریستال خارج کردند فقط ۲″ (۵۰ میلی متر) قطر داشت)روی سیلیکون اولیه پوشش داده می‌شه.
2. یک لایه ماده حساس به اشعه UV که اصطلاحا بهش Photo resist گفته می‌شه، روی مجموعه پوشش داده می‌شه.
3. از یک ماسک استفاده می‌شه که دارای یک سری حفره و شیار به شکل دلخواه هست و نور فقط از اون حفرات عبور می‌کنه و بقیه نور توسط ماسک جذب می‌شه.
4. با تابش یک پرتو متمرکز شده UV، نور از منافذ ماسک عبور می‌کنه و طرح دلخواه مارو روی ماده Photo resist می‌ندازه. باید توجه کنیم که با استفاده از لنزها می‌شه نور رو بسیار متمرکز کرد و در مورد پرتوهای الکترونی می‌تونیم به ضخامت پرتو چند نانومتر برسیم تا دقت نقشه بالا بره (لزوما از UV اتفاده نمی‌شه)
5. قسمت‌هایی از ماده Photo resist که به دلیل تابش نور ضعیف شدند، خیلی سریعتر از قسمت‌های دست نخورده‌اش خورده میشن. پس با اسید اون‌هارو مطابق همون طرحی که روی ماسک داشتیم تحت خوردگی موضعی قرار می‌دیم. اسید HF استفاده می‌شه.
6. اسید سر راهش قسمت‌هایی از اکسید سیلیکون که منطبق با نقشه تراشه بودند رو هم می‌خوره و پیشروی می‌کنه.
7. باقیمونده ماده Photo resist به کمک اسید مناسب دیگه‌ای حل می‌شه