+- تالار گفتگوی کیش تک/ kishtech forum (http://forum.kishtech.ir)
+-- انجمن: پردیس فناوری کیش (http://forum.kishtech.ir/forumdisplay.php?fid=1)
+--- انجمن: دانشگاه جامع علمی و کاربردی (http://forum.kishtech.ir/forumdisplay.php?fid=7)
+---- انجمن: **مرکز علمی و کاربردی کوشا** (http://forum.kishtech.ir/forumdisplay.php?fid=42)
+----- انجمن: برنامه سازی کامپیوتر - جمعه ها- ساعت 15 - ترم اوا 98-99 (http://forum.kishtech.ir/forumdisplay.php?fid=161)
+----- موضوع: سوال سوم (/showthread.php?tid=35078)
سوال سوم - iranimohamad231@gmail.com - 20-11-2019
ساختار فلش مئموری را توضیح دهید؟وانواع آن را نام ببرید؟
RE: سوال سوم - Morshediyan - 27-11-2019
نمیدونم
RE: سوال سوم - amir - 28-11-2019
[font=system-ui, sans-serif]ست.
حافظهٔ فلش یا فلش مموری (به انگلیسی: Flash memory)، حافظهٔ غیر فرّار ذخیره‌سازی رایانه‌ای است که می‌توان آن را به صورت الکتریکی پاک و دوباره برنامه‌ریزی کرد. این فناوری عمدتاً در کارت‌های حافظه و یواس‌بی استفاده می‌شود و برای ذخیره‌سازی عمومی و انتقال داده‌ها بین رایانه‌ها و دیگر محصولات دیجیتال به کار می‌رود. این نوع خاصی از EEPROM (حافظهٔ فقط خواندنی پاک‌شدنی و قابل برنامه‌ریزی به صورت الکتریکی) است که در قطعات بزرگ، پاک و برنامه‌ریزی شده‌است. از آنجا که حافظهٔ فلش غیر فرّار است، هیچ نیرویی برای نگه داشتن اطلاعات درون قطعه مورد نیاز نیست. علاوه بر این، این حافظه به ارائه گذاشتن سریع اطلاعات در هر دسترسی (اگر چه به اندازهٔ حافظه فرّار دینامیک دسترسی تصادفی (DRAM)، که برای حافظه اصلی در رایانه‌ها به کار می‌رود سریع نیست) ولی مقاوم‌تر از دیسک سخت (Hard disk) در برابر شوک حرکتی می‌باشد.
دو نوع حافظهٔ فلش وجود دارد که بر حسب منطق‌های NAND , NOR نام‌گذاری شده‌اند سلول‌های مستقل حافظهٔ فلش مشخصات درونی مشابهی با دروازهٔ مربوط را نشان می‌دهند. در حالی که EPROMها باید قبل از نوشته شدن به‌طور کامل پاک شوند، فلش‌های نوع NANDمی‌توانند هم‌زمان در بلوک‌هایی که معمولاً از کّل دستگاه کوچکترند خوانده و نوشته شوند. فلش‌های NOR به یک کلمهٔ ماشینی تنها (بایت) اجازه می‌دهند بر روی یک محل پاک شده بدون وابستگی نوشته یا خواند شوند. نوع NAND به صورت عمده در کارت‌های حفظ فلش‌های یواس‌بی و درایوهای حالت جامد و محصولات مشابه برای ذخیره معمولی و انتقال داده استفاده می‌شود. فلش‌های NAND, NOR معمولاً برای ذخیره پیکر بندی داده‌ها در بسیاری از محصولات دیجیتالی استفاده می‌شوند مسئولیتی که در گذشته به وسیلهٔ EPROMها یا حافظهٔ استاتیک باتری دار ممکن می‌شد. یکی از معایب حافظهٔ فلش تعداد محدود چرخه‌های خواندن یا نوشتن در یک بلوک خاص است. فلش‌های NOR و NAND نام خود را از روابط داخلی بین سلول‌های حافظه‌شان می‌گیرند. مشابه گیت نند، در فلش‌های نند هم گیت‌ها در سری‌هایی به هم متصل هستند. در یک گیت NOR ترانزیستورها به‌طور موازی به هم متصل هستند و مانند آن در فلش NOR سلول‌ها به‌طور موازی به خطوط بیت متصل هستند و به همین دلیل است که سلول‌ها می‌توانند جداگانه و مستقل، خوانده و برنامه‌نویسی شوند.[۱] در مقایسه با فلش‌های NOR جایگزین کردن یک ترانزیستور با گروه‌های سری لینک شده یک سطح آدرس دهی اضافی به آنها می‌افزاید. در حالی که فلش‌های NOR می‌توانند حافظه را با صفحه و سپس کلمه آدرس دهی کنند. فلش‌های NAND می‌توانند آن را با صفحه، کلمه و بیت آدرس دهی کنند.[/font]
انواع حافظه فلشویرایش
[font=system-ui, sans-serif]فلش NORویرایش
هر سلول در فلش NOR یک بخش پایانی دارد که مستقیماً به زمین متصل است و بخش پایانی دیگری که مستقیماً به یک خط بیت متصل است. این ترتیب به این دلیل NOR نامید شده‌است که مثل یک گیت NOR عمل می‌کند. وقتی یکی از خطوط کلمه‌ها High شود ترانزیستور ذخیره‌کننده مربوط عمل می‌کند تا خط بیت خروجی را Low کند.
فلش NANDویرایش
فلش NAND نیز از ترانزیستورهایی با گیت شناور استفاده می‌کند اما آنها به صورتی به هم متصل اند که گیت NAND را شبیه‌سازی می‌کنند. تعداد زیادی از ترانزیستورها به صورت سری متصل اند و خط بیت تنها در صورتی Low می‌شود که تمامی خطوط کلمه‌ها High شده باشند. سپس این گروه‌ها به وسیلهٔ تعداد اضافی ترانزیستور به یک آرایه با استایل NOR متصل شده‌اند مشابه حالتی که ترانزیستورهای تنها در یک فلش NOR به هم ارتباط پیدا کرده‌اند.
فلش نند عمودی (Vertical NAND)ویرایش
در حافظه نند عمودی (Vertical NAND)، سلول‌های حافظه به‌طور عمودی روی هم قرار می‌گیرند. با این کار بدون احتیاج به سلول‌هایی کوچکتر می‌توان تراکم سطحی بالاتری برای سلول‌ها ایجاد کرد.
ساختارویرایش
در ساختاری که در نند عمودی استفاده شده‌است، بار الکتریکی روی یک فیلم سیلیکون نیترید ذخیره می‌شود. فیلم‌های سیلیکون نیترید قابلیت این را دارند که ضخیم‌تر شوند و بار بیشتری بر روی خود جا دهند و علاوه بر آن مقاومت بالایی دارند. بارهای الکتریکی نمی‌توانند به‌طور عمودی در واسطه سیلیکون نیترید حرکت کنند، در نتیجه سلول‌های حافظه در لایه‌های عمودی متفاوت، با هم هیچ تداخلی ندارند. هر مجموعه عمودی، از نظر الکتریکی مشابه گروه‌های متصل به همی که در ساختار نند معمولی استفاده می‌شوند، می‌باشد.
عملکردویرایش
از سال ۲۰۱۳ عملیات نوشتن و خواندن توسط حافظه نند عمودی، با سرعتی معادل دو برابر سرعت حافظه نند معمولی اتفاق می‌افتد. از طرفی حافظه نند عمودی با مصرف تنها ۵۰ درصد انرژی مصرفی حافظه نند معمولی تا ۱۰ برابر آن عمر می‌کند.[۲][/font]
RE: سوال سوم - سلیمان خسروی - 29-11-2019
(20-11-2019, 07:16 PM)iranimohamad231@gmail.com نوشته است: ساختار فلش مئموری را توضیح دهید؟وانواع آن را نام ببرید؟
RE: سوال سوم - mohammadrezaam - 29-11-2019
از قطعات فشرده ای ساخته مبشود
RE: سوال سوم - ehsanmotamedmoghadam - 29-11-2019
تاریخچه این محصول تقریبا” برمی گردد به سال 1980 ، هنگامی که این پیشنهاد وطرح از طریق دکتر فوجیو ماسوکا در شرکت توشیبا مطرح شد. سپس در سال 1984، در همایش جهانی وسایل الکترونیکی (IEDM ) موسسه مهندسان برق و الکترونیک پرده برداری شد. محل برگزاری این همایش در سانفرانسیسکو واقع در ایالت کالیفرنیا بود.
چندین سال زمان برد تا این طرح ابتدایی با آزمایشات و بررسی ها تبدیل شود به یک محصولی که از نظر تجاری بتوان آن را عرضه نمود. شرکت اینتل، تراشه های تجاری آغازین را شرکت اینتل در سال 1988 به بازار ارائه نمود که از اولین الگو های فلش های NOR بودند.
فلش مموری های NOR، تقریبا”برای دفعات فراوان قابل نوشتن و پاک شدن بودند. شرکت توشیبا مجددا” تکنولوژی این فلش ها را ارتقاء داد و در همایش بین المللی وسایل الکترونیکی (IEDM ) سال 1987، خبری از تکنولوژی پیشرفته به نام NAND داد. گرچه NAND بازهم برای ارائه در بازارهای تجاری احتیاج به پیشرفت بیشتری داشت.
کم شدن تعدد مرتبه های نوشتن و پاک شدن و نیز داشتن گنجایش بیشتر ذخیره سازی، از فواید های فلش NAND بود.
Flash Memory چیست؟
این وسیله نمونه ای از حافظه های بادوام می باشد که از ادقام حافظه های قدیمی EPROM که توانایی پاک شدن و (E2PROM) حافظه هایی که توانایی دو بار پاک شدن را دارند ، حاصل می شود.
در واقع نحوه برنامه نویسی مورد نیاز در EPROM استاندارد و نحوه توانایی پاک شدن در E2PROM را مناسب استفاده قرار می دهد.
یکی از پراهمیت ترین مزایای حافظه فلش نسبت به EPROM، در توانایی الکترونیکی پاک شدن آن است. گرچه امکان پاک کردن جداگانه حافظه از هر خانه وجود ندارد ، تا هنگامی که تعداد فراوانی از مدارها به تراشه اضافه شود که این مسئله سبب بالا رفتن قیمت این فلش ها می شود . به همین علت بیشتر تولید کنندگان به سود سیستمی که از طریق آن ، همگی یا قسمتی از تراشه بلوک و یا flash erased می شود ، از این عملکرد صرفه نظر کرده اند.
درحال حاضر تراشه های فلش از توانایی پاک شدن به شیوه ی انتخابی برخوردارند به گونه ای که می توان بخش ها یا سکتورهایی را از فلش مموری گزینش و پاک کرد. در صورتی که توانایی پاک شدن ، باز هم به این معناست که تنها قسمت مهمی از تراشه باید پاک شود.
حافظه فلش یا فلش مموری به حافظه گفته می شود غیر فرار که قابلیت برنامه ریزی برای هر سلول را دارا می باشد . تعداد زیاد این سلول ها را با نام بلوک ، صفحه (page) یا سکتور می خوانند که قابلیت پاک شدن در آن واحد را دارند. فلش مموری یکی از انواع برگزیده تراشه های EEPROM می باشد . این حافظه حاوی شبکه ای مشتمل بر ستون و سطرمی باشد. این حافظه‌ها دچار نویز نمی شوند. سرعت دست یافتن به حافظه های فلش بالا بوده و اندازه‌شان کوچک است.
فلش مموری ها برای ذخیره دیتاها به باتری نیاز ندارند بنابراین باعث پایین آوردن وزن ، حجم و استفاده از برق وسایل می شوند . دیتاهای داخلشان متغیر هستند و ذخیره سازهای با گنجایش بالا را می توان توسط این مدل حافظه تهیه کرد. نسبت به فلاپی دیسک و هارد دیسک با سرعت بالاتری به دیتاها دسترسی دارد و از جهت دیگر مقاومت بیشتری در برابر شوک از خود بروز می دهد.
در نقطه اتصال هر سطر و یا ستون ، 2 ترانزیستور مورد استفاده قرار می گیرد. این دو ترانزیستور از طریق یک لایه نازک اکسید از همدیگر جدا شده اند. این دو ترانزیستور Floating gate و Control gate می باشد. Floatino gate تنها به قسمت سطر (WordLine) اتصال داده شده است . تا هنگامی که لینک فوق وجود داشته باشد در سلول مرتبط با آن مقدار یک سیو خواهد بود.به علت تغییر مقدار یک به صفر ، عملیاتی با نام Fowler-Nordheim tunneling مورد استفاده قرار می گیرد. از Tunneling جهت جابه جایی محل الکترون ها در Floating gate استفاد می شود. یک شارژ الکتریکی در حدود 10 تا 13 ولت به floating gate انتقال داده می شود. آغاز شارژ از ستون ( bitline) و بعد به floating gate خواهد رسید .در آخر شارژ خارج می شود ( زمین ) .این شارژ سبب میگردد که ترانزیستور floating gate شبیه یک توزیع کننده الکترون عمل نماید . الکترون های باقی مانده متراکم شده و در جهت دیگر لایه اکسید اسیر می شوند و باعث ایجاد یک شارژ منفی می شوند . الکترون های شارژ شده منفی ، همچون یک صفحه عایق بین control gate و floating gate عمل می نمایند.دستگاه ویژه ای با نام Cell sensor سطح شارژ انتقال داده شده به floating gate را مونیتور خواهد کرد. درحالتیکه جریان گیت بیش از 50 درصد شارژ باشد ، در این حالت مقدار یک را خواهد داشت .هنگامی که شارژ انتقال داده شده از 50 درصد ابتدایی بازگشت نموده مقدار به صفر تغییر خواهد یافت .یک تراشه EEPROM دارای گیت هائی است که تمامی آنها باز و هر سلول آن مقدار یک را دارا می باشد
RE: سوال سوم - AminNaghikhani - 29-11-2019
تاریخچه این محصول تقریبا” برمی گردد به سال 1980 ، هنگامی که این پیشنهاد وطرح از طریق دکتر فوجیو ماسوکا در شرکت توشیبا مطرح شد. سپس در سال 1984، در همایش جهانی وسایل الکترونیکی (IEDM ) موسسه مهندسان برق و الکترونیک پرده برداری شد. محل برگزاری این همایش در سانفرانسیسکو واقع در ایالت کالیفرنیا بود.
[img=550x0]http://tallash.ir/wp-content/uploads/2016/03/243899-379830.jpg[/img]چندین سال زمان برد تا این طرح ابتدایی با آزمایشات و بررسی ها تبدیل شود به یک محصولی که از نظر تجاری بتوان آن را عرضه نمود. شرکت اینتل، تراشه های تجاری آغازین را شرکت اینتل در سال 1988 به بازار ارائه نمود که از اولین الگو های فلش های NOR بودند.
فلش مموری های NOR، تقریبا”برای دفعات فراوان قابل نوشتن و پاک شدن بودند. شرکت توشیبا مجددا” تکنولوژی این فلش ها را ارتقاء داد و در همایش بین المللی وسایل الکترونیکی (IEDM ) سال 1987، خبری از تکنولوژی پیشرفته به نام NAND داد. گرچه NAND بازهم برای ارائه در بازارهای تجاری احتیاج به پیشرفت بیشتری داشت.
کم شدن تعدد مرتبه های نوشتن و پاک شدن و نیز داشتن گنجایش بیشتر ذخیره سازی، از فواید های فلش NAND بود.
Flash Memory چیست؟
این وسیله نمونه ای از حافظه های بادوام می باشد که از ادقام حافظه های قدیمی EPROM که توانایی پاک شدن و (E2PROM) حافظه هایی که توانایی دو بار پاک شدن را دارند ، حاصل می شود.
در واقع نحوه برنامه نویسی مورد نیاز در EPROM استاندارد و نحوه توانایی پاک شدن در E2PROM را مناسب استفاده قرار می دهد.
یکی از پراهمیت ترین مزایای حافظه فلش نسبت به EPROM، در توانایی الکترونیکی پاک شدن آن است. گرچه امکان پاک کردن جداگانه حافظه از هر خانه وجود ندارد ، تا هنگامی که تعداد فراوانی از مدارها به تراشه اضافه شود که این مسئله سبب بالا رفتن قیمت این فلش ها می شود . به همین علت بیشتر تولید کنندگان به سود سیستمی که از طریق آن ، همگی یا قسمتی از تراشه بلوک و یا flash erased می شود ، از این عملکرد صرفه نظر کرده اند.
درحال حاضر تراشه های فلش از توانایی پاک شدن به شیوه ی انتخابی برخوردارند به گونه ای که می توان بخش ها یا سکتورهایی را از فلش مموری گزینش و پاک کرد. در صورتی که توانایی پاک شدن ، باز هم به این معناست که تنها قسمت مهمی از تراشه باید پاک شود.
حافظه فلش یا فلش مموری به حافظه گفته می شود غیر فرار که قابلیت برنامه ریزی برای هر سلول را دارا می باشد . تعداد زیاد این سلول ها را با نام بلوک ، صفحه (page) یا سکتور می خوانند که قابلیت پاک شدن در آن واحد را دارند. فلش مموری یکی از انواع برگزیده تراشه های EEPROM می باشد . این حافظه حاوی شبکه ای مشتمل بر ستون و سطرمی باشد. این حافظه‌ها دچار نویز نمی شوند. سرعت دست یافتن به حافظه های فلش بالا بوده و اندازه‌شان کوچک است.
فلش مموری ها برای ذخیره دیتاها به باتری نیاز ندارند بنابراین باعث پایین آوردن وزن ، حجم و استفاده از برق وسایل می شوند . دیتاهای داخلشان متغیر هستند و ذخیره سازهای با گنجایش بالا را می توان توسط این مدل حافظه تهیه کرد. نسبت به فلاپی دیسک و هارد دیسک با سرعت بالاتری به دیتاها دسترسی دارد و از جهت دیگر مقاومت بیشتری در برابر شوک از خود بروز می دهد.
[img=250x0]http://tallash.ir/wp-content/uploads/2016/03/22643_1968311560_tn_v220w-HP-FLASH.jpg[/img]در نقطه اتصال هر سطر و یا ستون ، 2 ترانزیستور مورد استفاده قرار می گیرد. این دو ترانزیستور از طریق یک لایه نازک اکسید از همدیگر جدا شده اند. این دو ترانزیستور Floating gate و Control gate می باشد. Floatino gate تنها به قسمت سطر (WordLine) اتصال داده شده است . تا هنگامی که لینک فوق وجود داشته باشد در سلول مرتبط با آن مقدار یک سیو خواهد بود.به علت تغییر مقدار یک به صفر ، عملیاتی با نام Fowler-Nordheim tunneling مورد استفاده قرار می گیرد. از Tunneling جهت جابه جایی محل الکترون ها در Floating gate استفاد می شود. یک شارژ الکتریکی در حدود 10 تا 13 ولت به floating gate انتقال داده می شود. آغاز شارژ از ستون ( bitline) و بعد به floating gate خواهد رسید .در آخر شارژ خارج می شود ( زمین ) .این شارژ سبب میگردد که ترانزیستور floating gate شبیه یک توزیع کننده الکترون عمل نماید . الکترون های باقی مانده متراکم شده و در جهت دیگر لایه اکسید اسیر می شوند و باعث ایجاد یک شارژ منفی می شوند . الکترون های شارژ شده منفی ، همچون یک صفحه عایق بین control gate و floating gate عمل می نمایند.دستگاه ویژه ای با نام Cell sensor سطح شارژ انتقال داده شده به floating gate را مونیتور خواهد کرد. درحالتیکه جریان گیت بیش از 50 درصد شارژ باشد ، در این حالت مقدار یک را خواهد داشت .هنگامی که شارژ انتقال داده شده از 50 درصد ابتدایی بازگشت نموده مقدار به صفر تغییر خواهد یافت .یک تراشه EEPROM دارای گیت هائی است که تمامی آنها باز و هر سلول آن مقدار یک را دارا می باشد
RE: سوال سوم - mhmdrzazare - 29-11-2019
[font=Arial, sans-serif]رنگ های مختلف در سیم های خروجی از منبع تغذیه و ولتاژ معادل آنها[/font]
[font=Arial, sans-serif]رنگ
اندازه ولتاژ
زرد
+12 v
آبی
-12 v
قرمز
+5 v
سفید
-5 v
نارنجی و قهوه ای
3,3 v
مشکی و اتصال زمبن هست
GND:صفر ولت
خاکستری
5 ولت و 3,3 ولت pw-ok
سبز
PS-ON
ارغوانی
5 ولت SP[/font]
-HP-FLASH.jpg[/img]در نقطه اتصال هر سطر و یا ستون ، 2 ترانزیستور مورد استفاده قرار می گیرد. این دو ترانزیستور از طریق یک لایه نازک اکسید از همدیگر جدا شده اند. این دو ترانزیستور Floating gate و Control gate می باشد. Floatino gate تنها به قسمت سطر (WordLine) اتصال داده شده است . تا هنگامی که لینک فوق وجود داشته باشد در سلول مرتبط با آن مقدار یک سیو خواهد بود.به علت تغییر مقدار یک به صفر ، عملیاتی با نام Fowler-Nordheim tunneling مورد استفاده قرار می گیرد. از Tunneling جهت جابه جایی محل الکترون ها در Floating gate استفاد می شود. یک شارژ الکتریکی در حدود 10 تا 13 ولت به floating gate انتقال داده می شود. آغاز شارژ از ستون ( bitline) و بعد به floating gate خواهد رسید .در آخر شارژ خارج می شود ( زمین ) .این شارژ سبب میگردد که ترانزیستور floating gate شبیه یک توزیع کننده الکترون عمل نماید . الکترون های باقی مانده متراکم شده و در جهت دیگر لایه اکسید اسیر می شوند و باعث ایجاد یک شارژ منفی می شوند . الکترون های شارژ شده منفی ، همچون یک صفحه عایق بین control gate و floating gate عمل می نمایند.دستگاه ویژه ای با نام Cell sensor سطح شارژ انتقال داده شده به floating gate را مونیتور خواهد کرد. درحالتیکه جریان گیت بیش از 50 درصد شارژ باشد ، در این حالت مقدار یک را خواهد داشت .هنگامی که شارژ انتقال داده شده از 50 درصد ابتدایی
-HP-FLASH.jpg[/img]در نقطه اتصال هر سطر و یا ستون ، 2 ترانزیستور مورد استفاده قرار می گیرد. این دو ترانزیستور از طریق یک لایه نازک اکسید از همدیگر جدا شده اند. این دو ترانزیستور Floating gate و Control gate می باشد. Floatino gate تنها به قسمت سطر (WordLine) اتصال داده شده است . تا هنگامی که لینک فوق وجود داشته باشد در سلول مرتبط با آن مقدار یک سیو خواهد بود.به علت تغییر مقدار یک به صفر ، عملیاتی با نام Fowler-Nordheim tunneling مورد استفاده قرار می گیرد. از Tunneling جهت جابه جایی محل الکترون ها در Floating gate استفاد می شود. یک شارژ الکتریکی در حدود 10 تا 13 ولت به floating gate انتقال داده می شود. آغاز شارژ از ستون ( bitline) و بعد به floating gate خواهد رسید .در آخر شارژ خارج می شود ( زمین ) .این شارژ سبب میگردد که ترانزیستور floating gate شبیه یک توزیع کننده الکترون عمل نماید . الکترون های باقی مانده متراکم شده و در جهت دیگر لایه اکسید اسیر می شوند و باعث ایجاد یک شارژ منفی می شوند . الکترون های شارژ شده منفی ، همچون یک صفحه عایق بین control gate و floating gate عمل می نمایند.دستگاه ویژه ای با نام Cell sensor سطح شارژ انتقال داده شده به floating gate را مونیتور خواهد کرد. درحالتیکه جریان گیت بیش از 50 درصد شارژ باشد ، در این حالت مقدار یک را خواهد داشت .هنگامی که شارژ انتقال داده شده از 50 درصد ابتدایی
RE: سوال سوم - Alireza haghighi - 29-11-2019
(20-11-2019, 07:16 PM)iranimohamad231@gmail.com نوشته است: ساختار فلش مئموری را توضیح دهید؟وانواع آن را نام ببرید؟
[font=system-ui, sans-serif]حافظهٔ فلش یا فلش مموری (به انگلیسی: Flash memory)، حافظهٔ غیر فرّار ذخیره‌سازی رایانه‌ای است که می‌توان آن را به صورت الکتریکی پاک و دوباره برنامه‌ریزی کرد. این فناوری عمدتاً در کارت‌های حافظه و یواس‌بی استفاده می‌شود و برای ذخیره‌سازی عمومی و انتقال داده‌ها بین رایانه‌ها و دیگر محصولات دیجیتال به کار می‌رود. این نوع خاصی از EEPROM (حافظهٔ فقط خواندنی پاک‌شدنی و قابل برنامه‌ریزی به صورت الکتریکی) است که در قطعات بزرگ، پاک و برنامه‌ریزی شده‌است. از آنجا که حافظهٔ فلش غیر فرّار است، هیچ نیرویی برای نگه داشتن اطلاعات درون قطعه مورد نیاز نیست. علاوه بر این، این حافظه به ارائه گذاشتن سریع اطلاعات در هر دسترسی (اگر چه به اندازهٔ حافظه فرّار دینامیک دسترسی تصادفی (DRAM)، که برای حافظه اصلی در رایانه‌ها به کار می‌رود سریع نیست) ولی مقاوم‌تر از دیسک سخت (Hard disk) در برابر شوک حرکتی می‌باشد.
دو نوع حافظهٔ فلش وجود دارد که بر حسب منطق‌های NAND , NOR نام‌گذاری شده‌اند سلول‌های مستقل حافظهٔ فلش مشخصات درونی مشابهی با دروازهٔ مربوط را نشان می‌دهند. در حالی که EPROMها باید قبل از نوشته شدن به‌طور کامل پاک شوند، فلش‌های نوع NANDمی‌توانند هم‌زمان در بلوک‌هایی که معمولاً از کّل دستگاه کوچکترند خوانده و نوشته شوند. فلش‌های NOR به یک کلمهٔ ماشینی تنها (بایت) اجازه می‌دهند بر روی یک محل پاک شده بدون وابستگی نوشته یا خواند شوند. نوع NAND به صورت عمده در کارت‌های حفظ فلش‌های یواس‌بی و درایوهای حالت جامد و محصولات مشابه برای ذخیره معمولی و انتقال داده استفاده می‌شود. فلش‌های NAND, NOR معمولاً برای ذخیره پیکر بندی داده‌ها در بسیاری از محصولات دیجیتالی استفاده می‌شوند مسئولیتی که در گذشته به وسیلهٔ EPROMها یا حافظهٔ استاتیک باتری دار ممکن می‌شد. یکی از معایب حافظهٔ فلش تعداد محدود چرخه‌های خواندن یا نوشتن در یک بلوک خاص است. فلش‌های NOR و NAND نام خود را از روابط داخلی بین سلول‌های حافظه‌شان می‌گیرند. مشابه گیت نند، در فلش‌های نند هم گیت‌ها در سری‌هایی به هم متصل هستند. در یک گیت NOR ترانزیستورها به‌طور موازی به هم متصل هستند و مانند آن در فلش NOR سلول‌ها به‌طور موازی به خطوط بیت متصل هستند و به همین دلیل است که سلول‌ها می‌توانند جداگانه و مستقل، خوانده و برنامه‌نویسی شوند.[۱] در مقایسه با فلش‌های NOR جایگزین کردن یک ترانزیستور با گروه‌های سری لینک شده یک سطح آدرس دهی اضافی به آنها می‌افزاید. در حالی که فلش‌های NOR می‌توانند حافظه را با صفحه و سپس کلمه آدرس دهی کنند. فلش‌های NAND می‌توانند آن را با صفحه، کلمه و بیت آدرس دهی کنند.[/font]
RE: سوال سوم - Saminranjbar - 29-11-2019
(20-11-2019, 07:16 PM)iranimohamad231@gmail.com نوشته است: ساختار فلش مئموری را توضیح دهید؟وانواع آن را نام ببرید؟این وسیله نمونه ای از حافظه های بادوام می باشد که از ادقام حافظه های قدیمی EPROM که توانایی پاک شدن و (E2PROM) حافظه هایی که توانایی دو بار پاک شدن را دارند ، حاصل می شود.
در واقع نحوه برنامه نویسی مورد نیاز در EPROM استاندارد و نحوه توانایی پاک شدن در E2PROM را مناسب استفاده قرار می دهد.
[font=iran]یکی از پراهمیت ترین مزایای حافظه فلش نسبت به EPROM، در توانایی الکترونیکی پاک شدن آن است. گرچه امکان پاک کردن جداگانه حافظه از هر خانه وجود ندارد ، تا هنگامی که تعداد فراوانی از مدارها به تراشه اضافه شود که این مسئله سبب بالا رفتن قیمت این فلش ها می شود . به همین علت بیشتر تولید کنندگان به سود سیستمی که از طریق آن ، همگی یا قسمتی از تراشه بلوک و یا flash erased می شود ، از این عملکرد صرفه نظر کرده اند.دونوع حافظهٔ فلش وجود دارد که بر حسب منطق‌های NAND , NOR نام‌گذاری شده‌اند[/font]